 |
GB3 A1DPS 1100nm 85c سنسور عکس سنسور 0.1uA سنسور عکس سوئیچ نور
جزئیات محصول:
| محل منبع: | دونگوان ، گوانگدونگ ، چین |
| نام تجاری: | AMPFORT |
| گواهی: | ROHS |
| شماره مدل: | GB3-A1DPS |
پرداخت:
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 1000 قطعه |
|---|---|
| قیمت: | Negotiable |
| جزئیات بسته بندی: | فله |
| زمان تحویل: | 7-10 روز کاری |
| شرایط پرداخت: | T / T ، پی پال ، اتحادیه غربی |
| قابلیت ارائه: | 1000،000 قطعه در هر ماه |
|
اطلاعات تکمیلی |
|||
| نام: | سنسور عکس GB3-A1DPS | امکانات: | شکایت RoHS |
|---|---|---|---|
| دامنه پاسخ طیفی: | 850nm | طول موج حساسیت به اوج: | 400-1100nm |
| جریان تاریک: | 0.1uA | دمای لحیم کاری: | -40 ~ + 100 |
| دمای ذخیره سازی: | -25 ~ 85 | مواد اصلی: | سیلیکون ، رزین اپوکسی |
| برجسته: | سنسور سوئیچ عکس GB3 A1DPS,سنسور سوئیچ عکس 1100nm 85c,سوئیچ چراغ سنسور عکس 0.1uA |
||
توضیحات محصول
شکایت ROHS قابل مشاهده در نزدیکی IR Dector بسته پلاستیکی حسگر عکس GB3-A1DPS
Description توضیحات محصول قابل مشاهده تا نزدیک IR Dector بسته پلاستیکی حسگر عکس GB3-A1DPS
سنسور نور LXD/GB3-A1DPS تقریباً فقط در محدوده IR مادون قرمز دارای طیف طیفی است ، LXD/GB3-A1DPS در دماهای رنگی متفاوت نسبت به نوع معمولی ، چرخشی کوچک ارائه می دهد.LXD/GB3-A1DPS در یک بسته پلاستیکی با همان شکل بسته های فلزی محصور شده است.شکل LXD/GB3-A1DPS نیز شبیه سنسورهای قابل مشاهده از نوع 5R ما (سلول های هدایت کننده نوری CdS) است ، بنابراین LXD/GB3-A1DPS می تواند به عنوان جایگزینی برای حسگرهای مرئی و نزدیک IR استفاده شود.
■ ویژگی های قابل مشاهده تا نزدیک IR Dector بسته پلاستیکی حسگر عکس GB3-A1DPS
* عملکرد به سادگی به عنوان یک فوتوترانزیستور آسان است
* نوسانات جریان خروجی کمتر در مقایسه با فوتوترانزیستورها و سلولهای نوری هدایت کننده CdS.
* خطی بودن عالی ، خروجی جریان خوب خطی بیش از روشنایی
* دور کمی برای منابع نوری که روشنایی یکسانی را در دماهای مختلف رنگ ایجاد می کنند.
* جریان تاریک کم و حساسیت عکس بالا.
* سازگار با RoHS ، جایگزینی فاقد کادمیوم برای فتوسل ها.
■ برنامه های قابل مشاهده تا نزدیک IR Dector بسته پلاستیکی حسگر عکس GB3-A1DPS
* تعویض نور داخلی و خارجی (کلید غروب/سحر)
* کنترل نور داخلی و خارجی (کم نور شدن)
* کم نور چراغ جلو خودرو
* نمایش کنتراست کنتراست
* رنگ سنج
* جایگزینی برای فتوسل های CdS
حداکثر رتبه بندی مطلق / (Typ.Ta = 25 ℃) The Visible To Near IR Dector Package Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
| پارامتر | نماد | مقدار | واحد |
| ولتاژ جمع کننده-امیتر | VCEO | 12 | V |
| Emitter-Collector-Voltage | VEOC | 5 | V |
| اتلاف قدرت در | رایانه شخصی | 70 | مگاوات |
| دمای ذخیره سازی | توپر | -85 ~ 25 | ℃ |
| دمای لحیم کاری | Tstg | -40 ~+100 | ℃ |
ویژگی های الکترو نوری (Typ.Ta = 25 ℃) از قابل مشاهده تا نزدیک IR Dector بسته پلاستیکی حسگر عکس GB3-A1DPS
| پارامتر | نماد | شرایط. شرط | حداقل | نوع | حداکثر | واحد |
| محدوده پاسخ طیفی | λp | / | - | 850 | - | نانومتر |
| طول موج حساسیت قله | λd | / | 400 | - | 1100 | نانومتر |
| جریان تاریک | شناسه | Vdd = 5V Ev = 0 Lux | - | - | 0.1 | uA |
| جریان نوری | IL (1) | Vdd = 5V Ev = 10 لوکس | 3.0 | - | 5.0 | uA |
| Vdd = 5V Ev = 30 لوکس | 9.0 | - | 15.0 | uA | ||
| جریان نوری | IL (2)* | Vdd = 5V Ev = 100 Lux | 30 | 40 | 50 | uA |
| زمان برخاستن | Tr | VCE = 5V IC = 1mA RL = 1000Ω | 15 | اماس | ||
| زمان سقوط | Tf | 15 | ||||
پاسخ طیفی جریان روشن در مقابل Ee جریان تیره در مقابل دما
example نمونه مدار عملیاتی The Visible To Near IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
lines طرح کلی ابعاد قابل مشاهده تا نزدیک IR Dector بسته پلاستیکی حسگر عکس GB3-A1DPS (واحد: میلی متر)
مشخصات سری Visible To Near IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
| مشخصات فنی (میلی متر) | مدل | حداقل ولتاژ عملیاتی (V) | قابلیت رد IR | جریان نور (uA) | جریان تاریک | پیک طیفی پاسخ | ||||
| @ 10 لوکس | @ 100 لوکس | @ 200 لوکس | @ 1000 لوکس | @ 2000 لوکس | @ 0 لوکس | |||||
| 3 پوند | LXD/GB3-A1C | 2.0 ولت | ||||||||
| Iss = 250uA | آره | 12.5 | 125 | 250 | - | - | <1 nA | 520 نانومتر | ||
| 5 پوند | LXD/GB5-A1C | 2.0 ولت | ||||||||
| Iss = 250uA | آره | 12.5 | 125 | 250 | - | - | <1 nA | 520 نانومتر | ||
| 3 پوند | LXD/GB3-A2C | 2.0 ولت | ||||||||
| Iss = 250uA | آره | - | 15 | - | 150 | 300 | <1 nA | 520 نانومتر | ||
| 5 پوند | LXD/GB5-A2C | 2.0 ولت | ||||||||
| Iss = 250uA | آره | - | 15 | - | 150 | 300 | <1 nA | 520 نانومتر | ||
| 5 پوند | LXD/GB5-A1DPF | 2.0 ولت | آره | 113 | 750 | - | 1318 | - | 4uA | 520 نانومتر |
| Iss = 250uA | ||||||||||
| 5 پوند | LXD/GB5-A1DPB | 2.0 ولت | 240 | |||||||
| IC = 20mA ، IB = 100uA | آره | 17 | 170 | - | - | <10 nA | 850 نانومتر | |||
| 5 پوند | LXD/GB5-A1DPM | 2.0 ولت | 600 | |||||||
| IC = 20mA ، IB = 100uA | آره | 30 | 300 | - | - | <10 nA | 850 نانومتر | |||